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大功率半导体器件IGBT产业化基地奠基

2011-05-27

5月25日,中国南车大功率半导体器件绝缘栅双极晶体管(简称“IGBT”)产业化基地在田心工业园奠基,我国首条8英寸IGBT芯片生产线项目随之启动。从芯片设计、到模块封装,再到系统应用,公司成为国内唯一掌握IGBT成套技术,形成完整产业链的企业。业内评价指出,“该基地的奠基,我国IGBT关键技术长期受制于人的局面由此改变。”

国家发改委产业协调司机械装备处处长李刚,铁道部运输局装备部副主任申瑞源,国家工业和信息化部装备工业司机械处处长王建宇,及铁道部、工信部、中国交通运输协会城市轨道交通专业委员会、湖南省经委、科技厅相关领导,中国南车董事长赵小刚、总工程师张新宁,株洲市市长王群、副市长肖文伟,公司领导及员工代表参加了奠基仪式。

IGBT是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品,广泛应用于轨道交通、航空航天、智能电网、新能源汽车等战略性产业领域,是节能技术和低碳经济的主要支撑,被业界誉为功率变流装置的“CPU”、绿色经济的“核芯”。目前国内IGBT的主要供应商为外国厂商,为支持我国企业技术突围,IGBT成为国家产业政策重点支持和扶植的重大科技项目。相关研究机构指出,“在IGBT这个以技术为门槛的行业中,谁掌握了技术,谁就掌握了市场”。

据悉,轨道交通、新能源、电动汽车等绿色经济产业在未来十年甚至更长的时间里将保持每年20-30%的高速增长,发展绿色经济成为全球各个主要经济体的共识。作为绿色经济的功率“核芯”,IGBT市场发展前景光明。

中国南车总工程师张新宁致欢迎辞。对参加此次奠基仪式的领导及嘉宾表示欢迎。张新宁指出,作为电力电子技术的关键核心,IGBT已经逐步成为衡量一个企业、行业乃至国家电力电子技术水平的重要标志。通过多年努力,中国南车此方面处于国内领先地位,在IGBT产业化上做了充足的准备。他表示,中国南车将以此次项目奠基为契机,全面拉动并加快推进中国南车大功率半导体IGBT产业化进程,真正提升国内行业的整体竞争能力。

公司董事长丁荣军就大功率半导体IGBT产业化项目情况和意义进行了全面的介绍。大功率IGBT产业化基地建设项目占地160亩,预计2013年正式投产。该基地包括一条年产12万片8英寸IGBT芯片和9条年产百万只大功率IGBT模块的生产线,产品电压等级从600伏到6500伏,年产值超过20亿元,完全打通芯片—模块—系统应用的完整产业链,满足和支撑轨道交通等产业领域对大功率IGBT强大市场需求。整个产业规模和技术实力均超过国内已有水平,达到国际领先水平(目前世界主流IGBT芯片生产线为6英寸)。届时,中国南车将完全自主实现电力电子器件技术及产业跨越式发展,跻身世界大功率IGBT器件技术及产业化一流梯队。

据了解,由于IGBT生产对制造环境要求非常苛刻,该产业化基地配置了5000平方米的高标准净化厂房,配套设施如空气净化系统、湿温度控制系统、纯水处理系统都将采用世界一流的技术装备。基地引进国际一流的生产工艺,配套IGBT芯片制造、封装测试、可靠性试验全套设备,形成集IGBT产品设计、芯片制造、模块封装测试、可靠性试验、系统应用等成套技术的研究、开发及产品制造于一体,自动化、专业化和规模化程度领先的大功率IGBT产业化基地。

工业和信息化部装备工业司机械处处长王建宇,国家发改委产业协调司机械装备处处长李刚,铁道部运输局装备部副主任申瑞源在奠基仪式上先后发表讲话。他们纷纷对中国南车大功率半导体IGBT产业化基地奠基表示祝贺,认为IGBT项目是“国家的宝贝、南车的骄傲”。他们表示将全力支持该项目发展,他们希望以基地奠基为契机,进一步发挥自身优势,加大自主创新力度,加大大功率半导体IGBT核心技术攻关,加快实现电力电子核心技术高端图片和产业升级,为国家、为铁路事业发展做出更大贡献。

株洲市市长王群表示,大功率IGBT产业化项目奠基,是株洲市工业发展史上一件盛大喜事,也将助力国家IGBT产业迈上自主化道路的新起点。株洲市委市政府将义不容辞地、全力以赴给予大功率IGBT产业以大力的关注和支持。

奠基仪式上,在热烈的掌声中,中国南车董事长赵小刚郑重宣布中国南车大功率半导体IGBT产业化基地正式开工。随后赵小刚、张新宁、丁荣军与国家、省委领导为大功率半导体IGBT产业化基地举行了培土仪式。

随后,在公司时代科技大厦举行了大功率半导体器件IGBT产业化建设项目新闻发布会。中国南车总工程师张新宁、株洲所总工程师冯江华等领导和专家就项目建设情况接受了新华社、中新社、科技日报、湖南卫视等15家媒体的集中采访。

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