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首个功率半导体器件及应用创新中心将落户湖南

2017-09-25

9月22日,湖南省IGBT产业对接会暨中国IGBT技术创新与产业联盟第三届学术论坛在株洲举办,IGBT产业链的9家单位签署框架协议,约定共同创建功率半导体器件及应用创新中心。创新中心将通过协同技术、人才、资金等资源,打通技术研发供给、商业化等链条,打破国外垄断,推动我国新型功率半导体技术的突破。

据悉,创新中心由中车时代电气、国家电网、南方电网、格力电器、中科院微电子所、中环半导体、湘投控股、时代新材、时代电动等业内知名单位共同参与组建,汇集企业、高校、科研院所、投资基金,通过打通产业链上下游,形成“材料-器件-装置-应用”的完整产业链,打造利益共同体,共同解决我国在功率半导体器件领域的共性技术。

按照《中国制造2025》规划,到2020年,我国将建立15家左右国家级制造业创新中心。功率半导体技术是关系国民经济命脉的众多重点领域的共性关键技术,涉及“中国制造2025”中先进轨道交通装备、节能与新能源汽车、电力装备、新材料等行业。根据中国半导体行业协会统计,2016年,中国功率半导体市场规模达1496.1亿元,占全球的55%。但长期以来,由于创新链各环节衔接不畅,创新主体分散,导致行业“技术孤岛”现象严重,原始创新能力不足,对国际技术路径和产品存在严重依赖。

中车时代电气拥有50多年功率半导体器件的研究和开发历史,是国内具备晶闸管、IGCT、IGBT全套技术并实现大批量应用的企业。拥有国内第一条高压IGBT模块生产线,全球第二条、国内第一条8英寸IGBT专业芯片生产线,在英国林肯设立了半导体研发中心,与英国剑桥大学等顶级科研院所在电气传动、功率半导体器件等领域开展了合作。2014年10月,株洲中车时代电气股份有限公司和25家科研院所、高校、企业在株洲发起成立中国IGBT技术创新与产业联盟,为创新中心的成立奠定了基础。

功率半导体器件及应用创新中心的成立,将推动形成“技术创新-技术转化-规模化应用并获利-投资资金再创新”的闭合循环,构建优势互补、风险共担的体系化协同创新机制,推动创新成果在先进轨道交通、智能电网、消费电子、电动汽车等重要领域的产业化应用。

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